第13节 放大器阻抗 (修订中)
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输入阻抗随下图所示的电路配置变化很大。它也随着偏差而变化。这里不考虑，输入阻抗很复杂，并且随频率而变化。对于共发射极和共集电极，它是基极电阻乘以 β。基极电阻既可以在晶体管内部也可以在晶体管外部。
R in = βR E
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对于共射极 (opens new window)电路来说，它有点复杂。我们需要知道内部发射极电阻 r EE。
这是由以下给出的：
r EE = KT/I E m 其中：K=1.38×10 -23 watt-sec/ o C，玻尔兹曼常数 T= 开尔文温度 ≅300。I E = 发射极电流 m = 硅 R E ≅ 0.026V/I E = 26mV/I E从 1 到 2 变化
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因此，对于共发射极电路 Rin 是
Rin = βr EE
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例如，a, β = 100, CE 配置的输入电阻偏置为 1 mA：
r EE = 26mV/1mA = 0.26Ω Rin = βr EE = 100(26) = 2600Ω
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此外，对于普通集电极来说，更准确的 Rin 应该包括 Re'
Rin = β(R E + r EE )
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上述等式也适用于具有发射极电阻的共发射极配置。
共基极配置的输入阻抗为__Rin = r EE__。
共集电极配置的高输入阻抗匹配高阻抗源。晶体或陶瓷麦克风就是这样一种高阻抗源。共基极布置有时用于 RF（射频）电路以匹配低阻抗源，例如 50 Ω 同轴电缆馈电。对于中等阻抗源，共发射极是一个很好的匹配。一个例子是动态麦克风。
下图列出了三种基本配置的输出阻抗。共射极配置的中等输出阻抗有助于使其成为一般用途的流行选择。共集电极的低输出阻抗在阻抗匹配中得到了很好的应用，例如与 4 欧姆扬声器的无变压器匹配。输出阻抗似乎没有任何简单的公式。然而，R. Victor Jones 开发了输出电阻的表达式。[RVJ]
放大器特性，改编自 GE 晶体管手册，图 1.21。
# 1. 总结
- 见上图。
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