第7节 结二极管 (修订中)
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有一些历史悠久的原油，但可用的是一些历史悠久的原油，但 在高纯度材料可用之前可用的[半导体整流器。](https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt- 万用表 (opens new window)上的交流刻度。这个二极管也是光敏的。
在现代功率二极管整流器出现之前，使用了氧化硒整流器。这些和Cu 2 O 整流器是多晶器件。光电电池曾经由硒制成。
# 0.1. 半导体之前
在现代半导体时代之前，早期的二极管应用是射频_检测器_，它从无线电信号中恢复音频。“半导体”是矿物方铅矿、硫化铅、PbS 的多晶片。一种称为_猫须的尖金属丝_与多晶矿物中晶体上的一个点接触。（下图）操作员通过移动猫须努力在方铅矿上找到一个“敏感”点。据推测，由于不受控制的杂质的可变性，在整个晶体中随机分布有 P 型和 N 型斑点。较少使用矿物铁黄铁矿，愚人金，矿物碳化硅，碳化硅，SiC，另一个探测器，部分杂质。较少使用矿物铁黄铁矿，愚人金，矿物碳化硅，碳化硅，SiC，另一种探测器，散兵坑无线电的一部分，由一根削尖的铅笔芯组成，该铅笔芯绑在弯曲的安全别针上，接触生锈的蓝色刀片一次性剃须刀片。这些都需要寻找一个敏感点，很容易因为振动而丢失。
水晶探测器
用 N 掺杂半导体代替矿物（下图（a））使整个表面变得敏感，因此不再需要寻找敏感点。该器件于 1906 年由 GWPickard 完善。尖头金属触点在半导体内产生了局部 P 型区域。金属点固定到位，整个_点接触二极管_封装在圆柱形主体中，以实现机械和电气稳定性。（下图（d））请注意，原理图上的阴极棒对应于物理封装上的棒。
硅点接触二极管在二战中对雷达做出了重要贡献，在雷达接收器中检测千兆赫兹射频回波信号。要明确的概念是，点接触二极管比结二极管和现代半导体早了几十年。直到今天，点接触二极管仍然是一种实用的微波频率检测手段，因为它的电容很小。锗点接触二极管曾经比现在更容易获得，在自供电晶体收音机等某些应用中，由于低 0.2 V 的正向电压而成为首选。点接触二极管虽然对宽带宽敏感，但与结型二极管相比具有低电流能力。
# 0.2. 现代二极管
硅二极管截面：（a）点接触二极管，（b）结型二极管，（c）原理图符号，（d）小信号二极管封装。
今天大多数[二极管](https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt- 电阻 (opens new window)。N -如（-）所示，该区域是轻掺杂的。轻掺杂产生具有更高反向击穿电压的二极管，这对于高压功率整流二极管很重要。较低电压的二极管，即使是低压功率整流器，在掺杂较重的情况下也会具有较低的正向损耗。最重的掺杂会产生专为低反向击穿电压而设计的齐纳二极管。然而，重掺杂会增加反向漏电流。阳极接触处的 P +区是重掺杂的 P 型半导体，是一种很好的接触策略。玻璃封装的小信号结二极管能够提供 10 到 100 毫安的电流。塑料或陶瓷封装的功率整流二极管可处理 1000 安培的电流。
# 1. 总结
- 点接触二极管具有极好的高频特性，适用于微波频率。
- 结型二极管的尺寸范围从小信号二极管到能够达到 1000 安培的功率整流器。
- 结附近的掺杂水平决定了反向击穿电压。轻掺杂产生高压二极管。重掺杂产生较低的击穿电压并增加反向漏电流。由于重掺杂，齐纳二极管具有较低的击穿电压。
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