第1节 绝缘栅场效应晶体管简介| 绝缘栅场效应晶体管| 电子教科书(修订中)
如上一章所述，场效应晶体管不止一种。结型场效应晶体管或 JFET 使用施加在反向偏置PN 结上的电压控制该结的耗尽区的宽度，然后控制受控电流通过的半导体通道的导电性。另一种场效应器件——绝缘栅场效应晶体管，或 IGFET——利用了类似的耗尽区控制通过半导体沟道的导电性的原理，但它与 JFET 的主要区别在于它们之间没有直接连接。栅极引线和半导体材料本身。相反，栅极引线通过薄屏障与晶体管主体绝缘，因此称为绝缘栅极。这种绝缘屏障充当电容器的介电层，并允许栅源电压以静电方式而不是通过直接连接来影响耗尽区。
除了可以选择 N 通道与 P 通道设计之外，IGFET 还具有两种主要类型：增强型和耗尽型。耗尽型与 JFET 的关系更为密切，因此我们将以此开始对 IGFET 的研究。
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