第10节 场效应控制晶闸管(修订中)
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旨在降低经典晶闸管 (opens new window)器件的“驱动”（栅极触发电流）要求的两种相对较新的技术是 MOS 门控晶闸管和 MOS 控制晶闸管或 MCT。
# 1. MOS门控晶闸管
MOS 门控晶闸管使用MOSFET (opens new window)通过标准晶闸管结构的上 (PNP) 晶体管启动导通，从而触发器件。由于 MOSFET 需要可忽略不计的电流来“驱动”（使其饱和），这使得整个晶闸管非常容易触发：（下图）
MOS门控晶闸管等效电路
鉴于普通SCR (opens new window)很容易“驱动”，因此使用更灵敏的器件（MOSFET）启动触发的实际优势值得商榷。此外，在晶闸管的栅极输入端放置一个 MOSFET 现在_无法_通过反向触发信号将其关闭。只有低电流压差才能使该器件在被锁存后停止导通。
# 2. MOS控制晶闸管
一个可以说价值更大的设备将是一个完全可控的晶闸管，一个小的栅极信号可以触发晶闸管并迫使它关闭。这样的设备确实存在，它被称为_MOS 控制晶闸管_，或_MCT_。它使用一对连接到公共栅极端子的 MOSFET，一个用于触发晶闸管，另一个用于“取消触发”它。
MOS 控制晶闸管 (MCT) 等效电路
正栅极电压（相对于阴极）开启上部（N 沟道）MOSFET，允许基极电流通过上部（PNP）晶体管，从而将晶体管对锁定在“导通”状态。一旦两个晶体管都完全锁定，阳极和阴极之间的电压降就会很小，只要受控电流超过最小（保持）电流值，晶闸管就会保持锁定状态。但是，如果施加负栅极电压（相对于阳极，其电压与处于锁存状态的阴极几乎相同），则下部 MOSFET 将导通并在下部 (NPN) 晶体管的基极之间“短路”和发射极端子，从而迫使它进入截止状态。一旦NPN三极管截止，PNP三极管就会失去导通，整个晶闸管关断。
不过，该设备仍然是晶闸管。如果在栅极和阴极之间施加零电压，则两个 MOSFET 都不会开启。因此，[双极晶体管](https://www.allaboutcircuits.com/textbook/semiconductors/chpt- 滞后 (opens new window)）。因此，一个短暂的正向栅极脉冲打开 MCT，一个短暂的负向脉冲迫使它关闭，并且没有施加的栅极电压让它保持在它已经处于的任何状态。本质上，MCT 是 IGBT 的锁存版本（绝缘栅双极晶体管）。
# 3. 总结
- _MOS 门控晶闸管_使用N 沟道 MOSFET 来触发晶闸管，从而实现极低的栅极电流要求。
- _MOS 控制晶闸管_或_MCT_使用两个 MOSFET 对晶闸管施加完全控制。正栅极电压触发器件；负栅极电压迫使它关闭。零栅极电压允许晶闸管保持在之前的任何状态（关闭或锁定）。
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