第3节 晶体管 (JFET) 的仪表检查 (修订中)
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用[万用表](https://www.allaboutcircuits.com/textbook/direct- PN 结 (opens new window)要测试：要么在栅极和源极之间测量，要么在栅极和漏极之间测量。
# 测试 N 沟道 JFET 的连续性
不过，通过漏源通道测试连续性是另一回事。[请记住上一节中的存储电荷如何在没有任何外部电压](https://www.allaboutcircuits.com/textbook/direct- (opens new window)被应用在它上面？即使您将 JFET 拿在手中进行测试，也会发生这种情况！因此，通过该通道连续性的任何仪表读数都将是不可预测的，因为您不一定知道栅极-通道结是否正在存储电荷。当然，如果您事先知道器件上的哪些端子是栅极、源极和漏极，您可以在栅极和源极之间连接一根跳线以消除任何存储的电荷，然后继续测试源漏连续性没有问题。但是，如果您不知道哪些终端是哪些，源漏连接的不可预测性可能会混淆您对终端身份的确定。
# 测试 JFET 的策略
测试 JFET 时要遵循的一个好策略是在测试之前将晶体管的引脚插入抗静电泡沫（用于运输和存储静电敏感电子元件的材料）中。插入时，泡沫的导电性将在晶体管的所有端子之间形成电阻连接。这种连接将确保在栅极-通道 PN 结上建立的所有残余电压都将被中和，从而“打开”通道以对源极到漏极连续性进行精确的仪表测试。
由于 JFET 通道是单一的、不间断的半导体材料，源极和漏极之间通常没有区别。从源极到漏极的电阻 (opens new window)检查应产生与从漏极到源极的检查相同的值。当栅源PN结电压为零时，这个电阻应该比较低（最多几百欧姆）。通过在栅极和源极之间施加反向偏置电压，通道的夹断应该通过仪表上的电阻读数增加而明显。
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